-
IPD031N06L3G новыя арыгінальныя электронныя кампаненты мікрасхемы MCU Спецыфікацыя паслуг у наяўнасці IPD031N06L3G
Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтныя паўправадніковыя прадукты Транзістары – палявыя транзістары, МАП-транзістары – адзіны вытворца Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус прадукту Актыўны FET тыпу N-канальная тэхналогія MOSFET (аксід металу) ) Напружанне ад выхаду да крыніцы (Vdss) Ток 60 В – бесперапынны ток (Id) пры 25°C 100 A (Tc) Напружанне прывада (макс. Rds On, Min Rds On) 4,5 В, 10 В Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1 мОм пры 100А... -
IMZA65R072M1H мікрасхемы Транзістары Электронныя кампаненты Інтэгральная схема Кандэнсатар IMZA65R072M1H
Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтная паўправадніковая прадукцыя Транзістары – палявыя транзістары, МАП-транзістары – асобны вытворца Infineon Technologies Series - Package Tube Статус прадукту Актыўны тып FET - Тэхналогія - Ток - бесперапынны сток (Id) пры 25°C 28A (Tc) Напружанне прывада (макс. Rds) On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs(th) (Max) @ Id - Vgs (Max) - Функцыя FET - Рассейванне магутнасці (макс.) - Працоўная тэмпература - Базавы нумар прадукту IMZA6.. . -
Спіс спецыфікацый IC IDW30C65D2 GSD4E-9333-TR EP1AGX50DF780C6N інтэгральная схема
Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтныя паўправадніковыя прадукты Дыёды – Выпрамнікі – Масівы Вытворца Infineon Technologies Series Rapid 2 Package Tube Статус прадукту Канфігурацыя актыўнага дыёда 1 пара Тып дыёда з агульным катодам Стандартнае напружанне – Зваротны DC (Vr) (макс.) 650 В Ток – Сярэдні выпрамлены ( Io) (на дыёд) 15A Напружанне – наперад (Vf) (макс.) @ Калі 2,2 V @ 15 A Хуткае аднаўленне хуткасці =< 500ns, > 200mA (Io) Зваротнае аднаўленне... -
KWM Арыгінальны новы транзістар BSZ100 PG-TSDSON-8 BSZ100N06NS мікрасхема інтэгральнай схемы ў наяўнасці
Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтныя паўправадніковыя прадукты Транзістары – палявыя транзістары, МАП-транзістары – адзіны вытворца Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус прадукту Актыўны FET тыпу N-канальная тэхналогія MOSFET (аксід металу) ) Напружанне ад выхаду да крыніцы (Vdss) Ток 60 В – бесперапынны ток (Id) пры 25°C 40 A (Tc) Напружанне прывада (макс. Rds уключана, мінім. Rds уключана) 6 В, 10 В Rds уключана (макс.) @ Id, Vgs 10 мОм @ 20A, 10V... -
AUIRG4PH50S BSZ060NE2LS ISP752RFUMA1 IR3889MTRPBF мікрасхема Новая арыгінальная інтэгральная схема
Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтныя паўправадніковыя прадукты Транзістары – палявыя транзістары, МАП-транзістары – адзіны вытворца Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус прадукту Актыўны FET тыпу N-канальная тэхналогія MOSFET (аксід металу) ) Напружанне ад выхаду да крыніцы (Vdss) Ток 25 В – бесперапынны ток (Id) пры 25°C 12 A (Ta), 40 A (Tc) Напружанне прывада (макс. Rds уключана, мінім. Rds уключана) 4,5 В, 10 В Rds уключана (макс.) @ Id, Vgs 6 мОм... -
(ЗАПАС) BSS138NH6327 новыя і арыгінальныя электронныя кампаненты, гарачы прадукт
Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтныя паўправадніковыя прадукты Транзістары – палявыя транзістары, МАП-транзістары – адзіны вытворца Infineon Technologies Series SIPMOS® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус прадукту Актыўны FET тыпу N-канальная тэхналогія MOSFET (аксід металу) ) Напружанне ад выхаду да крыніцы (Vdss) Ток 60 В – бесперапынны ток (Id) пры 25°C 230 мА (Ta) Напружанне прывада (макс. Rds On, Min Rds On) 4,5 В, 10 В Rds On (Max) @ Id, Vgs 3,5 Ом пры 230 мА... -
Арыгінальны новы ў наяўнасці MOSFET Транзістар Дыёд Тырыстар SOT-223 BSP125H6327 IC Chip Электронны кампанент
Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтныя паўправадніковыя прадукты Транзістары – палявыя транзістары, МАП-транзістары – адзіны вытворца Infineon Technologies Series SIPMOS® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус прадукту Актыўны FET тыпу N-канальная тэхналогія MOSFET (аксід металу) ) Напружанне ад выхаду да крыніцы (Vdss) Ток 600 В – бесперапынны ток (Id) пры 25°C 120 мА (Ta) Напружанне прывада (макс. Rds уключана, мінім. Rds уключана) 4,5 В, 10 В Rds уключана (макс.) @ Id, Vgs 45 Ом пры 120 мА... -
Новы арыгінальны MOSFET TDSON-8 BSC0902NSI
Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтныя паўправадніковыя прадукты Транзістары – палявыя транзістары, МАП-транзістары – адзіны вытворца Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус прадукту Актыўны FET тыпу N-канальная тэхналогія MOSFET (аксід металу) ) Напружанне ад выхаду да крыніцы (Vdss) Ток 30 В – бесперапынны ток (Id) пры 25°C 23 A (Ta), 100 A (Tc) Напружанне прывада (макс. Rds уключана, мінім. Rds уключана) 4,5 В, 10 В Rds уключана (макс.) @ Id, Vgs 2,8 м... -
Новая ў наяўнасці інтэгральная схема TLE4250-2G IRF7495TRPBF BSC160N10NS3G IPB120P04P4L03 мікрасхема
Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтныя паўправадніковыя прадукты Транзістары – палявыя транзістары, МАП-транзістары – адзіны вытворца Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус прадукту Актыўны FET тыпу N-канальная тэхналогія MOSFET (аксід металу) ) Напружанне ад выхаду да крыніцы (Vdss) Ток 100 В – бесперапынны ток (Id) пры 25°C 8,8 A (Ta), 42 A (Tc) Напружанне прывада (макс. Rds уключана, мінім. Rds уключана) 6 В, 10 В Rds уключана (макс.) @ Id, Vgs 16 мОг... -
Новая і арыгінальная інтэгральная схема BSC100N06LS3G
Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтныя паўправадніковыя прадукты Транзістары – палявыя транзістары, МАП-транзістары – адзіны вытворца Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус прадукту Актыўны FET тыпу N-канальная тэхналогія MOSFET (аксід металу) ) Напружанне ад выхаду да крыніцы (Vdss) Ток 60 В – бесперапынны ток (Id) пры 25°C 12 A (Ta), 50 A (Tc) Напружанне прывада (макс. Rds уключана, мінім. Rds уключана) 4,5 В, 10 В Rds уключана (макс.) @ Id, Vgs 10 мОг... -
BSC070N10NS3G IPD50P04P4L11 SLM9670AQ20FW1311XTMA1 BTS3125EJ Мікрасхема арыгінальны электронны кампанент
Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтныя паўправадніковыя прадукты Транзістары – палявыя транзістары, МАП-транзістары – адзіны вытворца Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус прадукту Актыўны FET тыпу N-канальная тэхналогія MOSFET (аксід металу) ) Напружанне ад выхаду да крыніцы (Vdss) 100 В Ток – бесперапынны ток (Id) @ 25°C 90 A (Tc) Напружанне прывада (макс. Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 50A, 10V... -
AQX BSC060N10NS3G Новая і арыгінальная інтэгральная мікрасхема BSC060N10NS3G Атрыбуты прадукту
Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтныя паўправадніковыя прадукты Транзістары – палявыя транзістары, МАП-транзістары – адзіны вытворца Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус прадукту Актыўны FET тыпу N-канальная тэхналогія MOSFET (аксід металу) ) Напружанне ад выхаду да крыніцы (Vdss) Ток 100 В – бесперапынны ток (Id) пры 25°C 14,9 A (Ta), 90 A (Tc) Напружанне прывада (макс. Rds уключана, мінім. Rds уключана) 6 В, 10 В Rds уключана (макс.) @ Id, Vgs 6mOh...
