заказ_bg

прадукты

AUIRG4PH50S BSZ060NE2LS ISP752RFUMA1 IR3889MTRPBF мікрасхема Новая арыгінальная інтэгральная схема

кароткае апісанне:


Дэталь прадукту

Тэгі прадукту

Атрыбуты прадукту

ТЫП АПІСАННЕ
Катэгорыя Дыскрэтныя паўправадніковыя прадукты

Транзістары - FET, MOSFET - Адзінкавыя

Вытворца Тэхналогіі Infineon
серыял OptiMOS™
Пакет Стужка і шпулька (TR)

Абрэзаная стужка (CT)

Digi-Reel®

Статус прадукту Актыўны
Тып FET N-канал
Тэхналогіі MOSFET (аксід металу)
Напружанне адток да крыніцы (Vdss) 25 В
Ток – бесперапынны сліў (Id) пры 25°C 12A (Ta), 40A (Tc)
Напружанне прывада (макс. Rds уключана, мінім. Rds уключана) 4,5 В, 10 В
Rds On (макс.) @ Id, Vgs 6 мОм пры 20 А, 10 В
Vgs(th) (макс.) @ ідэнтыфікатар 2 В пры 250 мкА
Зарад варот (Qg) (макс.) @ Vgs 9,1 нКл пры 10 В
Vgs (макс.) ±20В
Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds 670 пФ пры 12 В
Функцыя FET -
Рассейванне магутнасці (макс.) 2,1 Вт (Ta), 26 Вт (Tc)
Працоўная тэмпература -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мацавання Павярхоўны мантаж
Пакет прылады пастаўшчыка PG-TSDSON-8-FL
Пакет / Чахол 8-PowerTDFN
Базавы нумар прадукту BSZ060

Дакументы і медыя

ТЫП РЭСУРСУ СПАСЫЛКА
Табліцы дадзеных BSZ060NE2LS
Іншыя звязаныя дакументы Даведнік па нумарах дэталяў
Рэкамендаваны прадукт Сістэмы апрацоўкі даных
Мадэлі EDA BSZ060NE2LSATMA1 ад Ultra Librarian

BSZ060NE2LS ад SnapEDA

Імітацыйны мадэлі MOSFET OptiMOS™ 25V N-канальная мадэль Spice

Экалагічныя і экспартныя класіфікацыі

АТРЫБУТ АПІСАННЕ
Статус RoHS Сумяшчальны з ROHS3
Узровень адчувальнасці да вільгаці (MSL) 1 (неабмежавана)
Статус REACH REACH не ўплывае
ECCN EAR99
ХЦУС 8541.29.0095

Дадатковыя рэсурсы

АТРЫБУТ АПІСАННЕ
Іншыя імёны BSZ060NE2LS

BSZ060NE2LS-ND

BSZ060NE2LSATMA1CT

BSZ060NE2LSDKR-ND

SP000776122

BSZ060NE2LSCT-ND

BSZ060NE2LSTR-ND

BSZ060NE2LSATMA1DKR

BSZ060NE2LSDKR

BSZ060NE2LSATMA1TR

BSZ060NE2LSCT

Стандартны пакет 5000

Транзістар - гэта паўправадніковая прылада, якая звычайна выкарыстоўваецца ва ўзмацняльніках або перамыкачах з электронным кіраваннем.Транзістары з'яўляюцца асноўнымі будаўнічымі блокамі, якія рэгулююць працу кампутараў, мабільных тэлефонаў і ўсіх іншых сучасных электронных схем.

Дзякуючы хуткай хуткасці рэагавання і высокай дакладнасці транзістары могуць быць выкарыстаны для шырокага спектру лічбавых і аналагавых функцый, уключаючы ўзмацненне, пераключэнне, рэгулятар напружання, мадуляцыю сігналу і асцылятар.Транзістары могуць быць спакаваныя паасобку або ў вельмі невялікай плошчы, якая можа змяшчаць 100 мільёнаў і больш транзістараў як частку інтэгральнай схемы.

У параўнанні з электроннай трубкай транзістар мае шмат пераваг:

Кампанент не спажывае

Незалежна ад таго, наколькі добрая трубка, яна будзе паступова псавацца з-за змяненняў у атамах катода і хранічнай уцечкі паветра.Па тэхнічных прычынах у транзістараў была тая ж праблема, калі яны былі ўпершыню зроблены.Дзякуючы развіццю матэрыялаў і ўдасканаленню многіх аспектаў транзістары звычайна служаць у 100-1000 разоў даўжэй, чым электронныя лямпы.

Спажываюць вельмі мала энергіі

Гэта толькі адна дзесятая або дзесяткі адной электроннай трубкі.Не трэба награваць нітку, каб вырабляць свабодныя электроны, як электронная трубка.Для праслухоўвання транзістарнага радыё патрабуецца ўсяго некалькі сухіх батарэек на працягу шасці месяцаў у годзе, што цяжка зрабіць для лямпавага радыё.

Папярэдне разаграваць не трэба

Працуе, як толькі ўключыш.Напрыклад, транзістарны радыёвыключаецца, як толькі яго ўключаюць, а транзістарны тэлевізар адразу пасля ўключэння стварае карцінку.Абсталяванне з вакуумнымі трубкамі не можа гэтага зрабіць.Пасля загрузкі пачакайце некаторы час, каб пачуць гук, убачыць малюнак.Відавочна, што ў ваенных мэтах, вымярэннях, запісах і г.д. транзістары вельмі выгадныя.

Моцны і надзейны

У 100 разоў больш надзейная, чым электронная трубка, ударатрываласць, вібратрываласць, што непараўнальна з электроннай трубкай.Акрамя таго, памер транзістара складае ўсяго ад адной дзесятай да адной сотай памеру электроннай трубкі, вельмі мала выдзялення цяпла, можа быць выкарыстаны для распрацоўкі невялікіх, складаных, надзейных схем.Нягледзячы на ​​тое, што працэс вытворчасці транзістара дакладны, працэс просты, што спрыяе паляпшэнню шчыльнасці ўстаноўкі кампанентаў.


  • Папярэдняя:
  • далей:

  • Напішыце тут сваё паведамленне і адпраўце яго нам