заказ_bg

прадукты

  • Спіс спецыфікацый IC IDW30C65D2 Інтэгральная схема высокай якасці

    Спіс спецыфікацый IC IDW30C65D2 Інтэгральная схема высокай якасці

    Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтныя паўправадніковыя прадукты Дыёды – Выпрамнікі – Масівы Вытворца Infineon Technologies Series Rapid 2 Package Tube Статус прадукту Канфігурацыя актыўнага дыёда 1 пара Тып дыёда з агульным катодам Стандартнае напружанне – Зваротны DC (Vr) (макс.) 650 В Ток – Сярэдні выпрамлены ( Io) (на дыёд) 15A Напружанне – наперад (Vf) (макс.) @ Калі 2,2 V @ 15 A Хуткае аднаўленне хуткасці =< 500ns, > 200mA (Io) Зваротнае аднаўленне...
  • Арыгінальны новы транзістар BSZ100 PG-TSDSON-8 BSZ100N06NS мікрасхема інтэгральнай схемы ў наяўнасці

    Арыгінальны новы транзістар BSZ100 PG-TSDSON-8 BSZ100N06NS мікрасхема інтэгральнай схемы ў наяўнасці

    Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтныя паўправадніковыя прадукты Транзістары – палявыя транзістары, МАП-транзістары – адзіны вытворца Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус прадукту Актыўны FET тыпу N-канальная тэхналогія MOSFET (аксід металу) ) Напружанне ад выхаду да крыніцы (Vdss) Ток 60 В – бесперапынны ток (Id) пры 25°C 40 A (Tc) Напружанне прывада (макс. Rds уключана, мінім. Rds уключана) 6 В, 10 В Rds уключана (макс.) @ Id, Vgs 10 мОм @ 20A, 10V...
  • BSZ060NE2LS IC Chip Новая арыгінальная інтэгральная схема высокай якасці па лепшай цане

    BSZ060NE2LS IC Chip Новая арыгінальная інтэгральная схема высокай якасці па лепшай цане

    Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтныя паўправадніковыя прадуктыТранзістары – палявыя транзістары, МАП-транзістары – адзіны вытворца Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус прадукту Актыўны FET Тып N-канальная тэхналогія MOSFET (аксід металу) Напружанне ад выхаду да крыніцы (Vdss) Ток 25 В – бесперапынны ток (Id) пры 25°C 12 A (Ta), 40 A (Tc) Напружанне прывада (макс. Rds уключана, мінім. Rds уключана) 4,5 В, 10 В Rds уключана (макс.) @ Id, Vgs 6 мОм @...
  • (ЗАПАС) BSS138NH6327 новыя і арыгінальныя электронныя кампаненты, гарачы прадукт

    (ЗАПАС) BSS138NH6327 новыя і арыгінальныя электронныя кампаненты, гарачы прадукт

    Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтныя паўправадніковыя прадукты Транзістары – палявыя транзістары, МАП-транзістары – адзіны вытворца Infineon Technologies Series SIPMOS® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус прадукту Актыўны FET тыпу N-канальная тэхналогія MOSFET (аксід металу) ) Напружанне ад выхаду да крыніцы (Vdss) Ток 60 В – бесперапынны ток (Id) пры 25°C 230 мА (Ta) Напружанне прывада (макс. Rds On, Min Rds On) 4,5 В, 10 В Rds On (Max) @ Id, Vgs 3,5 Ом пры 230 мА...
  • Арыгінальны новы ў наяўнасці MOSFET Транзістар Дыёд Тырыстар SOT-223 BSP125H6327 IC Chip Электронны кампанент

    Арыгінальны новы ў наяўнасці MOSFET Транзістар Дыёд Тырыстар SOT-223 BSP125H6327 IC Chip Электронны кампанент

    Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтныя паўправадніковыя прадукты Транзістары – палявыя транзістары, МАП-транзістары – адзіны вытворца Infineon Technologies Series SIPMOS® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус прадукту Актыўны FET тыпу N-канальная тэхналогія MOSFET (аксід металу) ) Напружанне ад выхаду да крыніцы (Vdss) Ток 600 В – бесперапынны ток (Id) пры 25°C 120 мА (Ta) Напружанне прывада (макс. Rds уключана, мінім. Rds уключана) 4,5 В, 10 В Rds уключана (макс.) @ Id, Vgs 45 Ом пры 120 мА...
  • Новы арыгінальны MOSFET TDSON-8 BSC0902NSI высокай якасці па лепшай цане

    Новы арыгінальны MOSFET TDSON-8 BSC0902NSI высокай якасці па лепшай цане

    Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтныя паўправадніковыя прадукты Транзістары – палявыя транзістары, МАП-транзістары – адзіны вытворца Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус прадукту Актыўны FET тыпу N-канальная тэхналогія MOSFET (аксід металу) ) Напружанне ад выхаду да крыніцы (Vdss) Ток 30 В – бесперапынны ток (Id) пры 25°C 23 A (Ta), 100 A (Tc) Напружанне прывада (макс. Rds уключана, мінім. Rds уключана) 4,5 В, 10 В Rds уключана (макс.) @ Id, Vgs 2,8 м...
  • Новая і арыгінальная інтэгральная схема BSC160N10NS3G у наяўнасці, мікрасхема высокай якасці

    Новая і арыгінальная інтэгральная схема BSC160N10NS3G у наяўнасці, мікрасхема высокай якасці

    Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтныя паўправадніковыя прадукты Транзістары – палявыя транзістары, МАП-транзістары – адзіны вытворца Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус прадукту Актыўны FET тыпу N-канальная тэхналогія MOSFET (аксід металу) ) Напружанне ад выхаду да крыніцы (Vdss) Ток 100 В – бесперапынны ток (Id) пры 25°C 8,8 A (Ta), 42 A (Tc) Напружанне прывада (макс. Rds уключана, мінім. Rds уключана) 6 В, 10 В Rds уключана (макс.) @ Id, Vgs 16 мОг...
  • Новая і арыгінальная інтэгральная схема BSC100N06LS3G з якасцю

    Новая і арыгінальная інтэгральная схема BSC100N06LS3G з якасцю

    Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтныя паўправадніковыя прадукты Транзістары – палявыя транзістары, МАП-транзістары – адзіны вытворца Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус прадукту Актыўны FET тыпу N-канальная тэхналогія MOSFET (аксід металу) ) Напружанне ад выхаду да крыніцы (Vdss) Ток 60 В – бесперапынны ток (Id) пры 25°C 12 A (Ta), 50 A (Tc) Напружанне прывада (макс. Rds уключана, мінім. Rds уключана) 4,5 В, 10 В Rds уключана (макс.) @ Id, Vgs 10 мОг...
  • Мікрасхема BSC070N10NS3G па лепшай цане. Арыгінальны электронны кампанент высокай якасці

    Мікрасхема BSC070N10NS3G па лепшай цане. Арыгінальны электронны кампанент высокай якасці

    Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтныя паўправадніковыя прадукты Транзістары – палявыя транзістары, МАП-транзістары – адзіны вытворца Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус прадукту Актыўны FET тыпу N-канальная тэхналогія MOSFET (аксід металу) ) Напружанне ад выхаду да крыніцы (Vdss) 100 В Ток – бесперапынны ток (Id) @ 25°C 90 A (Tc) Напружанне прывада (макс. Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 50A, 10V...
  • BSC060N10NS3G Новы і арыгінальны мікрасхема інтэгральнай схемы BSC060N10NS3G

    BSC060N10NS3G Новы і арыгінальны мікрасхема інтэгральнай схемы BSC060N10NS3G

    Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтныя паўправадніковыя прадукты Транзістары – палявыя транзістары, МАП-транзістары – адзіны вытворца Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус прадукту Актыўны FET тыпу N-канальная тэхналогія MOSFET (аксід металу) ) Напружанне ад выхаду да крыніцы (Vdss) Ток 100 В – бесперапынны ток (Id) пры 25°C 14,9 A (Ta), 90 A (Tc) Напружанне прывада (макс. Rds уключана, мінім. Rds уключана) 6 В, 10 В Rds уключана (макс.) @ Id, Vgs 6mOh...
  • Новая і арыгінальная інтэгральная схема, гарачы продаж, электронныя кампаненты, мікрасхема BSC016N06NS

    Новая і арыгінальная інтэгральная схема, гарачы продаж, электронныя кампаненты, мікрасхема BSC016N06NS

    Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтныя паўправадніковыя прадукты Транзістары – палявыя транзістары, МАП-транзістары – адзіны вытворца Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус прадукту Актыўны FET тыпу N-канальная тэхналогія MOSFET (аксід металу) ) Напружанне ад выхаду да крыніцы (Vdss) Ток 60 В – бесперапынны ток (Id) пры 25°C 30 A (Ta), 100 A (Tc) Напружанне прывада (макс. Rds уключана, мінім. Rds уключана) 6 В, 10 В Rds уключана (макс.) @ Ідэнтыфікатар, Vgs 1,6 мОг...
  • BFS481H6327 Інтэгральныя схемы Бягучае рэгуляванне/кіраванне Аналагавыя множнікі Дзельнікі

    BFS481H6327 Інтэгральныя схемы Бягучае рэгуляванне/кіраванне Аналагавыя множнікі Дзельнікі

    Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтная паўправадніковая прадукцыя Транзістары – Біпалярныя (BJT) – RF Mfr Infineon Technologies Series - Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус прадукту Актыўны транзістар тыпу 2 NPN (двайны) Напружанне – калектар Прабой выпраменьвальніка (макс.) Частата 12 В – пераход 8 ГГц Каэфіцыент шуму (дБ Typ @ f) 0,9 дБ ~ 1,2 дБ пры 900 МГц ~ 1,8 ГГц Узмацненне 20 дБ Магутнасць – Макс. 175 мВт узмацненне пастаяннага току (hFE) (мін.) ...