-
Новы і арыгінальны мікрасхема электроннага кампанента IRF7103TRPBF
Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтная паўправадніковая прадукцыя Транзістары – FET, MOSFET – Arrays Вытворца Infineon Technologies Series HEXFET® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Status Product Active FET N-Channel (Dual) FET тыпу 2 Характарыстыка: Стандартнае напружанне ад выхаду да крыніцы (Vdss) Ток 30 В – бесперапынны ток (Id) пры 25°C 6,5 A Rds On (макс.) пры Id, Vgs 29 мОм пры 5,8 A, 10 В Vgs(th) (макс.) пры Id 1 В пры 250 мкА Зарад варот (Qg) (Макс... -
IRF7103TRPBF Новы і арыгінальны мікрасхема інтэгральнай схемы IRF7103TRPBF
Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтная паўправадніковая прадукцыя Транзістары – FET, MOSFET – Arrays Вытворца Infineon Technologies Series HEXFET® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Status Product Active FET N-Channel (Dual) FET тыпу 2 Характарыстыка Стандартнае напружанне ад выхаду да крыніцы (Vdss) Ток 50 В – бесперапынны ток (Id) пры 25°C 3 A Rds On (макс.) @ Id, Vgs 130 мОм пры 3 A, 10 В Vgs (th) (макс.) @ Id 3 В @ 250 мкА Зарад засаўкі (Qg) (Макс) @... -
IRF7103TRPBF Новы і арыгінальны мікрасхема інтэгральнай схемы IRF7103TRPBF
Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтная паўправадніковая прадукцыя Транзістары – FET, MOSFET – Arrays Вытворца Infineon Technologies Series HEXFET® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Status Product Active FET N-Channel (Dual) FET тыпу 2 Характарыстыка Стандартнае напружанне ад выхаду да крыніцы (Vdss) Ток 50 В – бесперапынны ток (Id) пры 25°C 3 A Rds On (макс.) @ Id, Vgs 130 мОм пры 3 A, 10 В Vgs (th) (макс.) @ Id 3 В @ 250 мкА Зарад засаўкі (Qg) (Макс) @... -
IRF4905STRLPBF Новыя і арыгінальныя электронныя кампаненты IC Chip BOM Service У наяўнасці IRF4905STRLPBF
Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтная паўправадніковая прадукцыя Транзістары – палявыя транзістары, МАП-транзістары – асобны вытворца Серыя Infineon Technologies HEXFET® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус прадукту Актыўны полевы транзістор тыпу P-канальная тэхналогія MOSFET (аксід металу) ) Напружанне ад выхаду да крыніцы (Vdss) Ток 55 В – бесперапынны ток (Id) пры 25°C 42 A (Tc) Напружанне прывада (макс. Rds уключана, мінім. Rds уключана) 10 В Rds уключана (макс.) @ Id, Vgs 20 мОм пры 42 A, 10V Vg... -
Абсалютна новыя арыгінальныя электронныя кампаненты IC Chip IRF3205STRLPBF інтэгральныя схемы
Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтныя паўправадніковыя прадукты Транзістары – палявыя транзістары, МАП-транзістары – адзіны вытворца Серыя Infineon Technologies HEXFET® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус прадукту Актыўны FET тыпу N-канальная тэхналогія MOSFET (аксід металу) ) Напружанне ад выхаду да крыніцы (Vdss) Ток 55 В – бесперапынны ток (Id) пры 25°C 110 A (Tc) Напружанне прывада (макс. Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 62A, 10V Vg... -
IRF100S201 Advantage Supply Stock Новыя арыгінальныя смарт-чыпы Спецыфікацыя для IRF100S201
Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтная паўправадніковая прадукцыя Транзістары – FET, MOSFET – Single Mfr Infineon Technologies Series HEXFET®, StrongIRFET™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Status Product Active FET Type N-Channel Technology MOSFET (Аксід металу) Напружанне ад выхаду да крыніцы (Vdss) 100 В Ток – бесперапынны ток (Id) пры 25°C 192 A (Tc) Напружанне прывада (макс. Rds уключана, мінім. Rds уключана) 10 В Rds уключана (макс.) @ Id, Vgs 4,2 ой... -
IPW60R099P7 Новы арыгінал у наяўнасці, хуткая дастаўка, мікрасхема, электронныя кампаненты, служба спецыфікацыі для IPW60R099P7
Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Інтэгральныя схемы (IC) Спецыялізаваныя мікрасхемы Вытворца Infineon Technologies Series - Пакет Bulk Product Status Active Documents & Media РЭСУРС ТЫП СПАСЫЛКА Тэхнічныя табліцы IPW60R099P7 Тэхнічныя табліцы Экалагічныя і экспартныя класіфікацыі АПІСАННЕ АТРЫБУТА ECCN EAR99 HTSUS 8541.29.0095 Дадатковыя Рэсурсы АПІСАННЕ АТРЫБУТА Іншыя назвы 2156 -IPW60R099P7 INFINFIPW60R099P7 Стандартны пакет 1 Інтэграваная схема... -
IPD135N08N3G Новая інтэгральная схема высокай якасці
Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтная паўправадніковая прадукцыя Транзістары – палявыя транзістары, МАП-транзістары – адзіны вытворца Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Статус прадукту Састарэлы FET Тып N-канальная тэхналогія MOSFET (аксід металу) Напружанне ад утоку да крыніцы (Vdss) 80 V ток – бесперапынны разрад (Id) пры 25°C 45A (Tc) Напружанне прывада (макс. Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 45A, 10V Vgs(th) ( Макс) @ Ідэнтыфікатар... -
IPD036N04LG Гарачы продаж ICS, новы і арыгінальны з высокай якасцю
Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтная паўправадніковая прадукцыя Транзістары – FET, MOSFET – Адзіны вытворца Infineon Technologies Series OptiMOS™ 3 Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Status Product Active FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal) Аксід) Напружанне ад выхаду да крыніцы (Vdss) Ток 40 В – бесперапынны ток (Id) пры 25°C 90 A (Tc) Напружанне прывада (макс. Rds On, Min Rds On) 4,5 В, 10 В Rds On (Max) @ Id, Vgs 3,6 мОм пры 90 А... -
TO-252 IPD33CN10NG з высакаякасным чып-транзістарам па новай і першапачатковай цане
Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтныя паўправадніковыя прадукты Транзістары – палявыя транзістары, МАП-транзістары – адзіны вытворца Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус прадукту Актыўны FET тыпу N-канальная тэхналогія MOSFET (аксід металу) ) Напружанне ад выхаду да крыніцы (Vdss) 100 В Ток – бесперапынны ток (Id) пры 25°C 27 A (Tc) Напружанне прывада (макс. Rds уключана, мінім. Rds уключана) 10 В Rds уключана (макс.) @ Id, Vgs 33 мОм пры 27 A, 10 В ... -
IPD031N06L3G новыя арыгінальныя электронныя кампаненты мікрасхемы MCU Спецыфікацыя паслуг у наяўнасці IPD031N06L3G
Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтныя паўправадніковыя прадукты Транзістары – палявыя транзістары, МАП-транзістары – адзіны вытворца Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус прадукту Актыўны FET тыпу N-канальная тэхналогія MOSFET (аксід металу) ) Напружанне ад выхаду да крыніцы (Vdss) Ток 60 В – бесперапынны ток (Id) пры 25°C 100 A (Tc) Напружанне прывада (макс. Rds On, Min Rds On) 4,5 В, 10 В Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1 мОм пры 100А... -
IMZA65R072M1H мікрасхемы Транзістары Электронныя кампаненты Інтэгральная схема Кандэнсатар IMZA65R072M1H
Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтная паўправадніковая прадукцыя Транзістары – палявыя транзістары, МАП-транзістары – асобны вытворца Infineon Technologies Series - Package Tube Статус прадукту Актыўны тып FET - Тэхналогія - Ток - бесперапынны сток (Id) пры 25°C 28A (Tc) Напружанне прывада (макс. Rds) On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs(th) (Max) @ Id - Vgs (Max) - Функцыя FET - Рассейванне магутнасці (макс.) - Працоўная тэмпература - Базавы нумар прадукту IMZA6.. .
