заказ_bg

прадукты

  • Кітайскі завод, арыгінал IRFS7440TRLPBF, электронныя кампаненты, інтэгральная схема, паўправадніковая мікрасхема на продаж

    Кітайскі завод, арыгінал IRFS7440TRLPBF, электронныя кампаненты, інтэгральная схема, паўправадніковая мікрасхема на продаж

    Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтная паўправадніковая прадукцыя Транзістары – FET, MOSFET – Single Mfr Infineon Technologies Series HEXFET®, StrongIRFET™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Status Product Active FET Type N-Channel Technology MOSFET (Аксід металу) Напружанне ад выхаду да крыніцы (Vdss) Ток 40 В – бесперапынны ток (Id) пры 25°C 120 A (Tc) Напружанне прывада (макс. Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5...
  • Інтэгральныя схемы IRFS3607TRLPBF мікрасхема IRFS3607TRLPBF

    Інтэгральныя схемы IRFS3607TRLPBF мікрасхема IRFS3607TRLPBF

    Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтныя паўправадніковыя прадукты Транзістары – палявыя транзістары, МАП-транзістары – адзіны вытворца Серыя Infineon Technologies HEXFET® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус прадукту Актыўны FET тыпу N-канальная тэхналогія MOSFET (аксід металу) ) Напружанне ад выхаду да крыніцы (Vdss) Ток 75 В – бесперапынны ток (Id) пры 25°C 80 A (Tc) Напружанне прывада (макс. Rds уключана, мінім. Rds уключана) 10 В Rds уключана (макс.) @ Id, Vgs 9 мОм пры 46 A, 10V Vgs...
  • (Звязацца з лепшай цаной) IRFR7540TRPBF Электронныя кампаненты Дэталі Інтэгральная схема MCU мікрасхемы IRFR7540TRPBF

    (Звязацца з лепшай цаной) IRFR7540TRPBF Электронныя кампаненты Дэталі Інтэгральная схема MCU мікрасхемы IRFR7540TRPBF

    Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтныя паўправадніковыя прадукты Транзістары – палявыя транзістары, МАП-транзістары – адзіны вытворца Infineon Technologies Series StrongIRFET™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус прадукту Актыўны FET тыпу N-канальная тэхналогія MOSFET (аксід металу) ) Напружанне ад выхаду да крыніцы (Vdss) Ток 60 В – бесперапынны ток (Id) пры 25°C 90 A (Tc) Напружанне прывада (макс. Rds уключана, мінім. Rds уключана) 6 В, 10 В Rds уключана (макс.) @ Id, Vgs 4,8 мОм @ 66A...
  • Інтэгральныя схемы IRFR3504ZTRPBF Кантакт IC Chip лепшай цаны IRFR3504ZTRPBF

    Інтэгральныя схемы IRFR3504ZTRPBF Кантакт IC Chip лепшай цаны IRFR3504ZTRPBF

    Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтныя паўправадніковыя прадукты Транзістары – палявыя транзістары, МАП-транзістары – адзіны вытворца Серыя Infineon Technologies HEXFET® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус прадукту Актыўны FET тыпу N-канальная тэхналогія MOSFET (аксід металу) ) Напружанне ад выхаду да крыніцы (Vdss) Ток 40 В – бесперапынны ток (Id) пры 25°C 42 A (Tc) Напружанне прывада (макс. Rds укл., мінім. Rds укл.) 10 В Rds укл (макс.) @ Id, Vgs 9 мОм пры 42 A, 10V Vgs...
  • (Звязацца з лепшай цаной) IRFR220NTRPBF Электронныя кампаненты Дэталі Інтэгральная схема MCU мікрасхемы IRFR220NTRPBF

    (Звязацца з лепшай цаной) IRFR220NTRPBF Электронныя кампаненты Дэталі Інтэгральная схема MCU мікрасхемы IRFR220NTRPBF

    Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтныя паўправадніковыя прадукты Транзістары – палявыя транзістары, МАП-транзістары – адзіны вытворца Серыя Infineon Technologies HEXFET® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус прадукту Актыўны FET тыпу N-канальная тэхналогія MOSFET (аксід металу) ) Напружанне ад выхаду да крыніцы (Vdss) Ток 200 В – бесперапынны ток (Id) пры 25°C 5A (Tc) Напружанне прывада (макс. Rds уключана, мінім. Rds уключана) 10 В Rds уключана (макс.) @ Id, Vgs 600 мОм пры 2,9 A , 10 В ...
  • IRFP4321PBF Электронныя кампаненты Часткі Інтэгральная схема мікрасхемы MCU IRFP4321PBF

    IRFP4321PBF Электронныя кампаненты Часткі Інтэгральная схема мікрасхемы MCU IRFP4321PBF

    Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтная паўправадніковая прадукцыя Транзістары – FET, MOSFET – Адзіны вытворца Infineon Technologies Series HEXFET® Package Tube Статус прадукту Актыўны FET Тып N-канальная тэхналогія MOSFET (аксід металу) Напружанне ад утоку да крыніцы (Vdss) 150 В Ток – бесперапынны сток (Id) пры 25°C 78A (Tc) Напружанне прывада (макс. Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 33A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Брама Ча...
  • IRFH5020TRPBF Мікракантролер Арыгінальныя і новыя мікрасхемы інтэгральнай схемы ў наяўнасці IRFH5020TRPBF

    IRFH5020TRPBF Мікракантролер Арыгінальныя і новыя мікрасхемы інтэгральнай схемы ў наяўнасці IRFH5020TRPBF

    Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтныя паўправадніковыя прадукты Транзістары – палявыя транзістары, МАП-транзістары – адзіны вытворца Серыя Infineon Technologies HEXFET® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус прадукту Актыўны FET тыпу N-канальная тэхналогія MOSFET (аксід металу) ) Напружанне ад выхаду да крыніцы (Vdss) Ток 200 В – бесперапынны ток (Id) пры 25°C 5,1 A (Ta) Напружанне прывада (макс. Rds уключана, мінім. Rds уключана) 10 В Rds уключана (макс.) @ Id, Vgs 55 мОм пры 7,5 А, 10В...
  • Інтэгральныя схемы IRFH5007TRPBF IC Chip IRFH5007TRPBF па лепшай цане

    Інтэгральныя схемы IRFH5007TRPBF IC Chip IRFH5007TRPBF па лепшай цане

    Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтная паўправадніковая прадукцыя Транзістары – FET, MOSFET – Single Mfr Серыя Infineon Technologies HEXFET® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Status Product Last Time Buy FET Type N-Channel Technology MOSFET ( Аксід металу) Напружанне ад выхаду да крыніцы (Vdss) 75 В Ток – бесперапынны ток (Id) пры 25°C 17 A (Ta), 100 A (Tc) Напружанне прывада (макс. Rds уключана, мінім. Rds уключана) 10 В Rds уключана (макс.) @ Ідэнтыфікатар, Vgs 5,9 м...
  • Новы арыгінальны MOSFET TO-220-3 IRFB4321PBF

    Новы арыгінальны MOSFET TO-220-3 IRFB4321PBF

    Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтная паўправадніковая прадукцыя Транзістары – FET, MOSFET – Single Mfr International Rectifier Series HEXFET® Package Bulk Product Status Active FET Type N-Channel Technology MOSFET (аксід металу) Напружанне ад утоку да крыніцы (Vdss) 150 В Ток – бесперапынны ўцёк (Id) пры 25°C 85A (Tc) Напружанне прывада (макс. Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 33A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate ча...
  • (Звязацца з лепшай цаной) IRFB4019PBF Электронныя кампаненты Дэталі Інтэгральная схема MCU мікрасхемы IRFB4019PBF

    (Звязацца з лепшай цаной) IRFB4019PBF Электронныя кампаненты Дэталі Інтэгральная схема MCU мікрасхемы IRFB4019PBF

    Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтная паўправадніковая прадукцыя Транзістары – FET, MOSFET – Single Mfr Infineon Technologies Series - Package Tube Статус прадукту Active FET Type N-Channel Technology MOSFET (аксід металу) Напружанне ад выхаду да крыніцы (Vdss) 150 В Ток – бесперапынны сток ( Id) пры 25°C 17A (Tc) Напружанне прывада (макс. Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 95mOhm @ 10A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 4.9V @ 50µA Gate Зарад (Qg...
  • Новыя і арыгінальныя электронныя кампаненты IRF9540NSTRLPBF IRF9540NSTRLPBF высокай якасці па канкурэнтаздольнай цане

    Новыя і арыгінальныя электронныя кампаненты IRF9540NSTRLPBF IRF9540NSTRLPBF высокай якасці па канкурэнтаздольнай цане

    Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтная паўправадніковая прадукцыя Транзістары – палявыя транзістары, МАП-транзістары – асобны вытворца Серыя Infineon Technologies HEXFET® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус прадукту Актыўны полевы транзістор тыпу P-канальная тэхналогія MOSFET (аксід металу) ) Напружанне ад выхаду да крыніцы (Vdss) 100 В Ток – бесперапынны ток (Id) пры 25°C 23 A (Tc) Напружанне прывада (макс. Rds уключана, мінім. Rds уключана) 10 В Rds уключана (макс.) @ Id, Vgs 117 мОм пры 14 A, 10 В ...
  • Аптовы дыстрыб'ютар арыгінальных дэталяў мікрасхема IC Chip IRF8736TRPBF IC Chip

    Аптовы дыстрыб'ютар арыгінальных дэталяў мікрасхема IC Chip IRF8736TRPBF IC Chip

    Атрыбуты прадукту ТЫП АПІСАННЕ Катэгорыя Дыскрэтныя паўправадніковыя прадукты Транзістары – палявыя транзістары, МАП-транзістары – адзіны вытворца Серыя Infineon Technologies HEXFET® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус прадукту Актыўны FET тыпу N-канальная тэхналогія MOSFET (аксід металу) ) Напружанне ад выхаду да крыніцы (Vdss) Ток 30 В – бесперапынны ток (Id) пры 25°C 18 A (Ta) Напружанне прывада (макс. Rds уключана, мінім. Rds уключана) 4,5 В, 10 В Rds уключана (макс.) @ Id, Vgs 4,8 мОм пры 18A, 1...