заказ_bg

прадукты

Новы і арыгінальны мікрасхема электроннага кампанента IRF7103TRPBF

кароткае апісанне:


Дэталь прадукту

Тэгі прадукту

Атрыбуты прадукту

ТЫП АПІСАННЕ
Катэгорыя Дыскрэтныя паўправадніковыя прадукты

Транзістары - FET, MOSFET - Масіў

Вытворца Тэхналогіі Infineon
серыял HEXFET®
Пакет Стужка і шпулька (TR)

Абрэзаная стужка (CT)

Digi-Reel®

Статус прадукту Актыўны
Тып FET 2 N-канальныя (двайныя)
Функцыя FET Стандартны
Напружанне адток да крыніцы (Vdss) 30В
Ток – бесперапынны сліў (Id) пры 25°C 6,5А
Rds On (макс.) @ Id, Vgs 29 мОм пры 5,8 А, 10 В
Vgs(th) (макс.) @ ідэнтыфікатар 1 В пры 250 мкА
Зарад варот (Qg) (макс.) @ Vgs 33 нКл пры 10 В
Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds 650 пФ пры 25 В
Магутнасць - Макс 2W
Працоўная тэмпература -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мацавання Павярхоўны мантаж
Пакет / Чахол 8-SOIC (0,154 цалі, шырыня 3,90 мм)
Пакет прылады пастаўшчыка 8-SO
Базавы нумар прадукту IRF7313

Дакументы і медыя

ТЫП РЭСУРСУ СПАСЫЛКА
Табліцы дадзеных IRF7313PbF
Іншыя звязаныя дакументы ІЧ сістэма нумарацыі дэталяў
Навучальныя модулі прадукту Дыскрэтныя сілавыя MOSFET 40V і ніжэй

Інтэгральныя схемы высокага напружання (драйверы засаўкі HVIC)

Рэкамендаваны прадукт Сістэмы апрацоўкі даных
Табліца дадзеных HTML IRF7313PbF
Імітацыйны мадэлі Мадэль Sabre IRF7313

Экалагічныя і экспартныя класіфікацыі

АТРЫБУТ АПІСАННЕ
Статус RoHS Сумяшчальны з ROHS3
Узровень адчувальнасці да вільгаці (MSL) 1 (неабмежавана)
Статус REACH REACH не ўплывае
ECCN EAR99
ХЦУС 8541.29.0095

Дадатковыя рэсурсы

АТРЫБУТ АПІСАННЕ
Іншыя імёны IRF7313PBFDKR

SP001562160

IRF7313PBFCT

IRF7313PBFTR

*IRF7313TRPBF

Стандартны пакет 4000

Транзістар - гэта паўправадніковая прылада, якая звычайна выкарыстоўваецца ва ўзмацняльніках або перамыкачах з электронным кіраваннем.Транзістары з'яўляюцца асноўнымі будаўнічымі блокамі, якія рэгулююць працу кампутараў, мабільных тэлефонаў і ўсіх іншых сучасных электронных схем.

Дзякуючы хуткай хуткасці рэагавання і высокай дакладнасці транзістары могуць быць выкарыстаны для шырокага спектру лічбавых і аналагавых функцый, уключаючы ўзмацненне, пераключэнне, рэгулятар напружання, мадуляцыю сігналу і асцылятар.Транзістары могуць быць спакаваныя паасобку або ў вельмі невялікай плошчы, якая можа змяшчаць 100 мільёнаў і больш транзістараў як частку інтэгральнай схемы.

У параўнанні з электроннай трубкай транзістар мае шмат пераваг:

Кампанент не спажывае

Незалежна ад таго, наколькі добрая трубка, яна будзе паступова псавацца з-за змяненняў у атамах катода і хранічнай уцечкі паветра.Па тэхнічных прычынах у транзістараў была тая ж праблема, калі яны былі ўпершыню зроблены.Дзякуючы развіццю матэрыялаў і ўдасканаленню многіх аспектаў транзістары звычайна служаць у 100-1000 разоў даўжэй, чым электронныя лямпы.

Спажываюць вельмі мала энергіі

Гэта толькі адна дзесятая або дзесяткі адной электроннай трубкі.Не трэба награваць нітку, каб вырабляць свабодныя электроны, як электронная трубка.Для праслухоўвання транзістарнага радыё патрабуецца ўсяго некалькі сухіх батарэек на працягу шасці месяцаў у годзе, што цяжка зрабіць для лямпавага радыё.

Папярэдне разаграваць не трэба

Працуе, як толькі ўключыш.Напрыклад, транзістарны радыёвыключаецца, як толькі яго ўключаюць, а транзістарны тэлевізар адразу пасля ўключэння стварае карцінку.Абсталяванне з вакуумнымі трубкамі не можа гэтага зрабіць.Пасля загрузкі пачакайце некаторы час, каб пачуць гук, убачыць малюнак.Відавочна, што ў ваенных мэтах, вымярэннях, запісах і г.д. транзістары вельмі выгадныя.

Моцны і надзейны

У 100 разоў больш надзейная, чым электронная трубка, ударатрываласць, вібратрываласць, што непараўнальна з электроннай трубкай.Акрамя таго, памер транзістара складае ўсяго ад адной дзесятай да адной сотай памеру электроннай трубкі, вельмі мала выдзялення цяпла, можа быць выкарыстаны для распрацоўкі невялікіх, складаных, надзейных схем.Нягледзячы на ​​тое, што працэс вытворчасці транзістара дакладны, працэс просты, што спрыяе паляпшэнню шчыльнасці ўстаноўкі кампанентаў.


  • Папярэдняя:
  • далей:

  • Напішыце тут сваё паведамленне і адпраўце яго нам