Новая інтэгральная схема IPD135N08N3G
Атрыбуты прадукту
| ТЫП | АПІСАННЕ |
| Катэгорыя | Дыскрэтныя паўправадніковыя прадукты |
| Вытворца | Тэхналогіі Infineon |
| серыял | OptiMOS™ |
| Пакет | Стужка і шпулька (TR) |
| Статус прадукту | Устарэлы |
| Тып FET | N-канал |
| Тэхналогіі | MOSFET (аксід металу) |
| Напружанне адток да крыніцы (Vdss) | 80 В |
| Ток – бесперапынны сліў (Id) пры 25°C | 45A (Tc) |
| Напружанне прывада (макс. Rds уключана, мінім. Rds уключана) | 6В, 10В |
| Rds On (макс.) @ Id, Vgs | 13,5 мОм пры 45 А, 10 В |
| Vgs(th) (макс.) @ ідэнтыфікатар | 3,5 В пры 33 мкА |
| Зарад варот (Qg) (макс.) @ Vgs | 25 нКл пры 10 В |
| Vgs (макс.) | ±20В |
| Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds | 1730 пФ пры 40 В |
| Функцыя FET | - |
| Рассейванне магутнасці (макс.) | 79 Вт (Tc) |
| Працоўная тэмпература | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тып мацавання | Павярхоўны мантаж |
| Пакет прылады пастаўшчыка | PG-TO252-3 |
| Пакет / Чахол | TO-252-3, DPak (2 адвядзення + укладка), SC-63 |
| Базавы нумар прадукту | IPD135N |
Дакументы і медыя
| ТЫП РЭСУРСУ | СПАСЫЛКА |
| Табліцы дадзеных | IPD135N08N3G |
| Іншыя звязаныя дакументы | Даведнік па нумарах дэталяў |
| Рэкамендаваны прадукт | Сістэмы апрацоўкі даных |
| Табліца дадзеных HTML | IPD135N08N3G |
Экалагічныя і экспартныя класіфікацыі
| АТРЫБУТ | АПІСАННЕ |
| Узровень адчувальнасці да вільгаці (MSL) | 1 (неабмежавана) |
| Статус REACH | REACH не ўплывае |
| ECCN | EAR99 |
| ХЦУС | 8541.29.0095 |
Дадатковыя рэсурсы
| АТРЫБУТ | АПІСАННЕ |
| Іншыя імёны | SP000454266 IPD135N08N3GBTMA1TR IPD135N08N3 G IPD135N08N3 G-ND |
| Стандартны пакет | 2500 |
Транзістар - гэта паўправадніковая прылада, якая звычайна выкарыстоўваецца ва ўзмацняльніках або перамыкачах з электронным кіраваннем.Транзістары з'яўляюцца асноўнымі будаўнічымі блокамі, якія рэгулююць працу кампутараў, мабільных тэлефонаў і ўсіх іншых сучасных электронных схем.
Дзякуючы хуткай хуткасці рэагавання і высокай дакладнасці транзістары могуць быць выкарыстаны для шырокага спектру лічбавых і аналагавых функцый, уключаючы ўзмацненне, пераключэнне, рэгулятар напружання, мадуляцыю сігналу і асцылятар.Транзістары могуць быць спакаваныя паасобку або ў вельмі невялікай плошчы, якая можа змяшчаць 100 мільёнаў і больш транзістараў як частку інтэгральнай схемы.
У параўнанні з электроннай трубкай транзістар мае шмат пераваг:
Кампанент не спажывае
Незалежна ад таго, наколькі добрая трубка, яна будзе паступова псавацца з-за змяненняў у атамах катода і хранічнай уцечкі паветра.Па тэхнічных прычынах у транзістараў была тая ж праблема, калі яны былі ўпершыню зроблены.Дзякуючы развіццю матэрыялаў і ўдасканаленню многіх аспектаў транзістары звычайна служаць у 100-1000 разоў даўжэй, чым электронныя лямпы.
Спажываюць вельмі мала энергіі
Гэта толькі адна дзесятая або дзесяткі адной электроннай трубкі.Не трэба награваць нітку, каб вырабляць свабодныя электроны, як электронная трубка.Для праслухоўвання транзістарнага радыё патрабуецца ўсяго некалькі сухіх батарэек на працягу шасці месяцаў у годзе, што цяжка зрабіць для лямпавага радыё.
Папярэдне разаграваць не трэба
Працуе, як толькі ўключыш.Напрыклад, транзістарны радыёвыключаецца, як толькі яго ўключаюць, а транзістарны тэлевізар адразу пасля ўключэння стварае карцінку.Абсталяванне з вакуумнымі трубкамі не можа гэтага зрабіць.Пасля загрузкі пачакайце некаторы час, каб пачуць гук, убачыць малюнак.Відавочна, што ў ваенных мэтах, вымярэннях, запісах і г.д. транзістары вельмі выгадныя.
Моцны і надзейны
У 100 разоў больш надзейная, чым электронная трубка, ударатрываласць, вібратрываласць, што непараўнальна з электроннай трубкай.Акрамя таго, памер транзістара складае ўсяго ад адной дзесятай да адной сотай памеру электроннай трубкі, вельмі мала выдзялення цяпла, можа быць выкарыстаны для распрацоўкі невялікіх, складаных, надзейных схем.Нягледзячы на тое, што працэс вытворчасці транзістара дакладны, працэс просты, што спрыяе паляпшэнню шчыльнасці ўстаноўкі кампанентаў.
