Электронныя кампаненты Мікрасхемы Інтэгральныя схемы IC TPS74701QDRCRQ1 купіць у адным месцы

Адносіны паміж вафлямі і чыпсамі

Агляд вафель

Каб зразумець ўзаемасувязь паміж пласцінамі і чыпамі, ніжэй прыводзіцца агляд ключавых элементаў ведаў аб пласцінах і чыпах.

(I) Што такое вафля

Вафлі — крамянёвыя пласціны, якія выкарыстоўваюцца ў вытворчасці крэмніевых паўправадніковых інтэгральных схем, якія называюцца пласцінамі з-за іх круглай формы;яны могуць быць апрацаваны на крамянёвых пласцінах для фарміравання розных кампанентаў схемы і стаць прадуктамі інтэгральнай схемы з пэўнымі электрычнымі функцыямі.Сыравінай для пласцін з'яўляецца крэмній, а на паверхні зямной кары ёсць невычэрпныя запасы дыяксіду крэмнія.Дыяксід крэмнія руда ачышчаецца ў электрадугавых печах, хларуецца салянай кіслатой і пераганяецца з атрыманнем полікрэмнія высокай чысціні з чысцінёй 99,99999999999%.

(ii) Асноўная сыравіна для вафель

Крэмній ачышчаецца з кварцавага пяску, а пласціны ачышчаюцца (99,999%) ад элемента крэмнію, які затым ператвараецца ў крамянёвыя стрыжні, якія становяцца матэрыялам для кварцавых паўправаднікоў для інтэгральных схем.

(iii) Працэс вытворчасці вафель

Пласціны з'яўляюцца асноўным матэрыялам для вытворчасці паўправадніковых мікрасхем.Найбольш важнай сыравінай для паўправадніковых інтэгральных схем з'яўляецца крэмній, і таму ён адпавядае крамянёвым пласцінам.

Крэмній шырока сустракаецца ў прыродзе ў выглядзе сілікатаў або дыяксіду крэмнія ў горных пародах і жвіры.Вытворчасць крамянёвых пласцін можна абагульніць у тры асноўныя этапы: рафінаванне і ачыстка крэмнію, вырошчванне монакрышталяў крэмнію і фармаванне пласцін.

Першы - гэта ачыстка крэмніем, калі сыравіна з пяску і жвіру змяшчаецца ў электрадугавую печ пры тэмпературы каля 2000 °C і ў прысутнасці крыніцы вугляроду.Пры высокіх тэмпературах вуглярод і дыяксід крэмнія ў пяску і жвіры падвяргаюцца хімічнай рэакцыі (вуглярод злучаецца з кіслародам, пакідаючы крэмній), каб атрымаць чысты крэмній з чысцінёй каля 98%, таксама вядомы як крэмній металургічнага класа, які не з'яўляецца дастаткова чысты для мікраэлектронных прылад, таму што электрычныя ўласцівасці паўправадніковых матэрыялаў вельмі адчувальныя да канцэнтрацыі прымешак.Таму крэмній металургічнага класа дадаткова ачышчаецца: здробнены крэмній металургічнага класа падвяргаецца рэакцыі хларавання з газападобным хлорыстым вадародам для атрымання вадкага сілану, які затым пераганяецца і хімічна аднаўляецца з дапамогай працэсу, які дае полікрышталічны крэмній высокай чысціні з чысцінёй 99,99999999999. %, які становіцца электронным крэмніем.

Далей ідзе вырошчванне монакрышталічнага крэмнію, найбольш распаўсюджаны метад, які называецца прамым выцягваннем (метад CZ).Як паказана на дыяграме ніжэй, полісілікон высокай чысціні змяшчаецца ў кварцавы тыгель і бесперапынна награваецца з дапамогай графітавага награвальніка, які атачае звонку, падтрымліваючы тэмпературу каля 1400 °C.Газ у печы звычайна інэртны, што дазваляе расплавіць полікрылікон без непажаданых хімічных рэакцый.Для фарміравання монакрышталяў арыентацыя крышталяў таксама кантралюецца: тыгель круціцца з расплаўленым полікрэмніем, у яго апускаецца затравочны крышталь, а стрыжань для выцяжкі пераносіцца ў процілеглым кірунку, павольна і вертыкальна цягнучы яго ўверх ад крэмніевы расплав.Расплаўлены полікрысталічны крэмній прыліпае да ніжняй частцы затравочнага крышталя і расце ўверх у напрамку рашоткі размяшчэння затравочнага крышталя.